p-Ge auf Leiterplatte

LD 586852
p-Ge auf Leiterplatte
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Beschreibung

Wechselplatine zur Untersuchung der Leitfähigkeit und der Hallspannung für p-dotiertes Germanium in Abhängigkeit von der Temperatur. Ge-Kristall aufgelötet auf Wechselplatine für Hall-Effekt-Grundgerät (586 850), mit Kontakten für Querstrom und Hallspannung, integrierte Widerstandsheizung mit Thermofühler direkt unter Kristall.

Technische Daten

  • Kristallabmessungen: 20 mm x 10 mm x 1mm
  • mit Vielfachstecker zum Anschluss der Leiterplatte an Hall-Effekt-Grundgerät
  • Abmessungen: 10 cm x 10 cm x 1 cm
  • Masse: 200 g
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