Ge undotiert auf Leiterplatte

LD 586851
Ge undotiert auf Leiterplatte
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Beschreibung

Wechselplatine zur Untersuchung der Leitfähigkeit für undotiertes Germanium in Abhängigkeit von der Temperatur. Ge-Kristall aufgelötet auf Wechselplatine für Hall-Effekt-Grundgerät (586 850), mit Kontakten für Querstrom, integrierte Widerstandsheizung mit Thermofühler direkt unter Kristall.

Technische Daten

  • Kristallabmessungen: 20 mm x 10 mm x 1mm
  • Vielfachstecker zum Anschluss der Leiterplatte an Hall-Effekt Grundgerät
  • Abmessungen: 10 cm x 10 cm x 1 cm
  • Masse: 200 g

Zugehörige Dokumente

PDF (Gebrauchsanweisung) PDF (Gebrauchsanweisung) [586 851] Ge undotiert auf Leiterplatte
PDF (Versuchsanleitung) PDF (Versuchsanleitung) P7.2.1.5 Bestimmung des Bandabstandes von Germanium
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