Physik
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VD1.7.3.7
Nachweis des Auftriebs in Luft
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VD3.4.4.9_a
Schmelzsicherung - Aufbau mit Leiterbausteinen
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VP6.3.6.15
Hochaufgelöste Feinstruktur der charakteristischen Röntgenstrahlung einer Wolfram-Anode
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LP1.2.5.8
Energieumwandlung
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LP4.1.3.7C
Spannungsstabilisierung durch eine Z-Diode - Digital
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578611 8
Fototransistor STE 2/19
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Leuchtdioden für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Sendediode mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Wellenlänge: 660 ± 25 nm (rot)
- Ankoppelleistung: 200 µW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 483 Leuchtdiode LWL, STE 2/19 581 998 Leuchtdiode LWL, STE 2/50 -
Infrarotdioden für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Sendediode mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Wellenlänge: 950 ± 20 nm (Infrarot)
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 487 Infrarotdiode LWL, STE 2/19 581 999 Infrarotdiode LWL, STE 2/50 -
Fotodiode für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Zur Untersuchung der elektrischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Beleuchtung. Diode mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44), die darüber durch die Sendedioden (578 487/578 483) beleuchtet werden kann.
- Fotoempfindlichkeit: max. bei 850 nm
- spektraler Bereich: 400 ... 1100 nm
- Sperrspannung: 30 V
- Verlustleistung: max. 100 mW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 615 Fotodiode LWL, STE 2/19 581 995 Fotodiode LWL, STE 2/50 -
Fototransistoren für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Empfangstransistor mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Fotoempfindlichkeit: max. bei 850 nm
- spektraler Bereich: 400 ... 1100 nm
- Strom IC: max. 50 mA
- Spannung UCE: max. 50 V
- Verlustleistung PTOT: max. 200 mW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 612 Fototransistor LWL, ohne Basis, STE 2/19