Elektrik/Elektronik
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57862 4
Solarzelle STE 2/19
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578611 8
Fototransistor STE 2/19
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57861 8
Fototransistor seitlich, STE 2/19
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Leuchtdioden für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Sendediode mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Wellenlänge: 660 ± 25 nm (rot)
- Ankoppelleistung: 200 µW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 483 Leuchtdiode LWL, STE 2/19 581 998 Leuchtdiode LWL, STE 2/50 -
Infrarotdioden für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Sendediode mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Wellenlänge: 950 ± 20 nm (Infrarot)
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 487 Infrarotdiode LWL, STE 2/19 581 999 Infrarotdiode LWL, STE 2/50 -
Fotodiode für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Zur Untersuchung der elektrischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Beleuchtung. Diode mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44), die darüber durch die Sendedioden (578 487/578 483) beleuchtet werden kann.
- Fotoempfindlichkeit: max. bei 850 nm
- spektraler Bereich: 400 ... 1100 nm
- Sperrspannung: 30 V
- Verlustleistung: max. 100 mW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 615 Fotodiode LWL, STE 2/19 581 995 Fotodiode LWL, STE 2/50 -
Fototransistoren für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Empfangstransistor mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Fotoempfindlichkeit: max. bei 850 nm
- spektraler Bereich: 400 ... 1100 nm
- Strom IC: max. 50 mA
- Spannung UCE: max. 50 V
- Verlustleistung PTOT: max. 200 mW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 612 Fototransistor LWL, ohne Basis, STE 2/19 -
Gabellichtschranken STE
Steckelement für Versuche zur Funktionsweise und Anwendung einer Lichtschranke.
- Gabelweite: 4 mm
- Sender: Infrarot-Diode
Durchlaßstrom: max. 50 mA - Empfänger: NPN-Fototransistor
Verlustleistung: max 100 mW - Versorgungsspannung: 5 V DC
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 835 Gabellichtschranke STE 4/50 582 51 Gabellichtschranke STE 4/100 -
46021 4
Halter für Steckelemente
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Dioden STE
Kat.-Nr. Bezeichnung Material Sperrspannung max. Dauerstrom Bemerkung 578 50 Diode AA 118, Germanium, STE 2/19 Ge 90 V 50 mA für HF 578 51 Diode 1N4007, STE 2/19 Si 100 V 1 A 578 60 Diode SKN 2,5/0,8, STE 2/19 Si 800 V 2,5 A 578 44 Diode BY 255, STE 2/19 Si 1300 V 3 A 582 06 Diode AA 118, Germanium, STE 2/50 Ge 90 V 50 mA für HF 582 07 Diode 1N 4007, STE 2/50 Si 100 V 1 A