Elektrik/Elektronik STE
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Fototransistoren für Lichtwellenleiter (LWL), STE
Empfangstransistor mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44). Die integrierte Linse und die vorgegebene Justierung durch die Bauform ergeben eine hohe Ankoppelleistung mit dem Lichtwellenleiter.
- Fotoempfindlichkeit: max. bei 850 nm
- spektraler Bereich: 400 ... 1100 nm
- Strom IC: max. 50 mA
- Spannung UCE: max. 50 V
- Verlustleistung PTOT: max. 200 mW
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 612 Fototransistor LWL, ohne Basis, STE 2/19 -
57944 4
Lichtwellenleiter, Satz 2
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Gabellichtschranken STE
Steckelement für Versuche zur Funktionsweise und Anwendung einer Lichtschranke.
- Gabelweite: 4 mm
- Sender: Infrarot-Diode
Durchlaßstrom: max. 50 mA - Empfänger: NPN-Fototransistor
Verlustleistung: max 100 mW - Versorgungsspannung: 5 V DC
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 835 Gabellichtschranke STE 4/50 582 51 Gabellichtschranke STE 4/100 -
46021 4
Halter für Steckelemente
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Dioden STE
Kat.-Nr. Bezeichnung Material Sperrspannung max. Dauerstrom Bemerkung 578 50 Diode AA 118, Germanium, STE 2/19 Ge 90 V 50 mA für HF 578 51 Diode 1N4007, STE 2/19 Si 100 V 1 A 578 60 Diode SKN 2,5/0,8, STE 2/19 Si 800 V 2,5 A 578 44 Diode BY 255, STE 2/19 Si 1300 V 3 A 582 06 Diode AA 118, Germanium, STE 2/50 Ge 90 V 50 mA für HF 582 07 Diode 1N 4007, STE 2/50 Si 100 V 1 A -
57892 4
Brückengleichrichter B250/C3700, STE 4/50
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Zener-Dioden STE
- Verlustleistung: max. 0,5 W bzw. 2 W
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 53 Z-Diode 3,3, STE 2/19 578 45 Z-Diode 3,9, 2 W, STE 2/19 578 553 Z-Diode 5,6, STE 2/19 578 55 Z-Diode 6,2, STE 2/19 578 46 Z-Diode 6,2, 2 W, STE 2/19 578 554 Z-Diode 8,2, STE 2/19 578 54 Z-Diode 9,1, STE 2/19 578 56 Z-Diode 18, STE 2/19 582 11 Z-Diode 6,2, STE 2/50 582 10 Z-Diode 9,1, STE 2/50 -
Transistoren STE
Kat.-Nr. Bezeichnung Stromverstärkung Verlustleistung 578 69 Transistor BC 550, NPN, E.u., STE 4/50 420 ... 800 0,5 W 578 71 Transistor BC 550, NPN, E.o., STE 4/50 420 ... 800 0,5 W 578 70 Transistor BC 560, PNP, E.u., STE 4/50 420 ... 800 0,5 W 578 72 Transistor BC 560, PNP, E.o., STE 4/50 420 ... 800 0,5 W 578 761 Transistor BC 160, PNP, E.u., STE 4/50 100 ... 250 3,7 W 578 76 Transistor BC 140, NPN, E.u., STE 4/50 100 ... 250 3,7 W 578 65 Transistor BD 130, NPN, E.u., STE 4/50 50 ... 100 5 W 578 67 Transistor BD 137, NPN, E.u., STE 4/50 40 ... 250 5 W 578 68 Transistor BD 138, PNP, E.u., STE 4/50 40 ... 250 5 W 578 74 Transistor BD 138, PNP, E.o., STE 4/50 40 ... 250 5 W 582 25 Transistor BC 550, NPN, E.u., STE 4/100 420 ... 800 0,5 W 582 28 Transistor BD 137, NPN, E.u., STE 4/100 40 ... 250 8 W 582 29 Transistor BD 138, PNP, E.u., STE 4/100 40 ... 250 8 W -
Darlington-Transistoren STE
- NPN-Transistorkombination
- Stromverstärkung: ca. 200
- Verlustleistung: max. 3 W
- Anwendungen: Sensorschalter
Kat.-Nr. Bezeichnung 578 78 Transistor (Darlington) TIP 162, STE 4/50 582 30 Transistor (Darlington) TIP 162, STE 4/100 -
Operationsverstärker STE
- Betriebsspannung: ±15 V DC
Kat.-Nr. Bezeichnung Ausgangsstrom 578 85 Operationsverstärker LM 741, STE 4/50 15 mA 578 86 Operationsverstärker (Leistung), STE 4/50 3,5 A kurzzeitig
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