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Aufzeichnung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors mit CASSY /
FET-Transistor J112

FET-Transistor J112

578772

8 FET-Transistor J112

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Beschreibung

Feldeffekttransistor für Grundlagenversuche im Bereich Elektronik.

Technische Daten

N-Kanal-FET
Verlustleistung: max. 625 mW
Anwendungen: hochohmige Eingangsstufen

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