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Aufzeichnung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors
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Aufzeichnung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors

VP4.1.5.3
Aufzeichnung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors
Aufzeichnung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors

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Beschreibung

Im Versuch P4.1.5.3 wird die Kennlinie eines Feldeffekttransistors, also der Drainstrom ID in Abhängigkeit von der Spannung zwischen Drain und Source UDS bei konstanter Gatespannung UG, gemessen und aufgezeichnet.

Ausstattungsdetails

3 57681  4  Rastersteckplatte Si-Bu, 20/10 LD
1 578772  8  FET-Transistor J112 LD
1 57851  8  Diode 1N4007, STE 2/19 LD
1 57732  4  Widerstand 100 Ohm, STE 2/19 LD
1 57744  4  Widerstand 1 kOhm, STE 2/19 LD
1 57764  8  Widerstand 47 kOhm, STE 2/19 LD
1 57790  4  Potentiometer 220 Ohm, STE 4/50 LD
1 57792  4  Potentiometer 1 kOhm, STE 4/50 LD
2 50148  4  Brückenstecker STE 2/19, Satz 10 LD
1 521488 AC/DC Netzgerät 0...12 V/3 A LD
1 521210  8  Transformator 6/12 V, 30 W LD
1 575302 Speicheroszilloskop 30 MHz, digital, zweikanalig LD
2 57524  4  Messkabel BNC/4-mm-Stecker LD
2 531120 Vielfach-Messgerät LDanalog 20 (Multimeter) LD
3 500621  4  Sicherheits-Experimentierkabel 50 cm, rot LD
3 500622  4  Sicherheits-Experimentierkabel 50 cm, blau LD

Versuchsanleitung

PDF (Versuchsanleitung) PDF (Versuchsanleitung) P4.1.5.3 Aufzeichnung der Kennlinien eines Feldeffekttransistors
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